半导体器件封装及其制造方法
公开
摘要
一种半导体器件封装的制造方法包括：在载体衬底上形成重布线结构；使用第一导电连接件将第一内连线结构的第一侧耦合到重布线结构的第一侧，其中第一内连线结构包括芯体衬底，其中第一内连线结构在第一内连线结构的与第一内连线结构的第一侧相对的第二侧上包括第二导电连接件；使用第二导电连接件将第一半导体器件耦合到第一内连线结构的第二侧；移除载体衬底；以及使用第三导电连接件将第二半导体器件耦合到重布线结构的第二侧，其中重布线结构的第二侧与重布线结构的第一侧相对。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件封装及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628364A
申请号 ：
CN202210184218.1
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴俊毅余振华
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾伯兴
优先权 ：
CN202210184218.1
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L23/535 H01L25/065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
