减少封装应力制造半导体器件的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种半导体器件，它有一玻璃跃变温度低于150℃的消除应力层。通常此消除应力层位于器件的电互连系统上方而不在压焊盘区域的上方。这实质上就缓解了因热产生的应力，否则此应力将使器件中的电子元件损坏，这种工艺同时也使从外封装覆盖层48伸出的导体组32和34上的最大应力发生在能够承受该应力的压焊区域。此消除应力层最好用光刻形成图案的方法加工。
基本信息
专利标题 ：
减少封装应力制造半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87108334A
申请号 ：
CN87108334.5
公开（公告）日 ：
1988-07-13
申请日 ：
1987-12-16
授权号 ：
CN1014380B
授权日 ：
1991-10-16
发明人 ：
迈伦·拉尔夫·卡根道格拉斯·弗雷德里克·里德利丹尼尔·詹姆斯·贝尔顿
申请人 ：
菲利浦光灯制造公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN87108334.5
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2004-02-11 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-03-20 ：
其他有关事项
1998-12-16 ：
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 菲利浦电子有限公司
变更后 : 皇家菲利浦电子有限公司
变更前 : 菲利浦电子有限公司
变更后 : 皇家菲利浦电子有限公司
1997-12-24 ：
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 菲利浦光灯制造公司
变更后 : 菲利浦电子有限公司
变更前 : 菲利浦光灯制造公司
变更后 : 菲利浦电子有限公司
1992-07-01 ：
授权
1991-10-16 ：
审定
1990-02-14 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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