半导体封装装置及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本公开提出了半导体封装装置及其制造方法，通过在导电垫上延伸出多个纳米线，并在纳米线间加上液态导电材料进行接合作业，形成位于纳米线包覆范围内的导电互连体，来解决纳米线结合所存在的问题。液态导电材料形成导电互连体填充纳米线间的空隙，可有效避免空洞问题；导电互连体起到电连接作用，可以避免一侧的纳米线与对侧的导电垫无法完全结合的问题；液态导电材料形成导电互连体，位于纳米线的包覆范围内，不易造成桥接现象。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334682A
申请号 ：
CN202111635470.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
江照泽方绪南
申请人 ：
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号
代理机构 ：
北京植德律师事务所
代理人 ：
唐华东
优先权 ：
CN202111635470.1
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 B82Y30/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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