塑料封装的半导体器件
被视为撤回的申请
摘要
本发明涉及到一种塑料封装的半导体器件，包括一个半导体基片，在其顶部制有电极和导线，用一层氮化硅保护层覆盖整个半导体表面，包括电极和导线。对这层保护层本身，又用二氧化硅保护层覆盖，或者用二氧化硅和氮化硅两层保护层加以覆盖。
基本信息
专利标题 ：
塑料封装的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85107248A
申请号 ：
CN85107248
公开（公告）日 ：
1986-08-13
申请日 ：
1985-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黑尔加·沃格特
申请人 ：
联邦德国ITT工业股份有限公司
申请人地址 ：
联邦德国7800弗赖堡邮政号840翰斯邦特街19号
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
刘晖
优先权 ：
CN85107248
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/50 H01L29/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
1989-12-20 ：
被视为撤回的申请
1988-04-27 ：
实质审查请求
1986-08-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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