半导体器件
专利权的终止
摘要

本发明提供一种半导体器件,其中布线层设置在半导体衬底上并沿着预设方向延伸。外接电极端子通过多个柱状导体设置在布线层上。柱状导体位于外接电极端子下方。柱状导体的排列密度沿着布线层的延伸方向而改变。

基本信息
专利标题 :
半导体器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1893046A
申请号 :
CN200510125362.4
公开(公告)日 :
2007-01-10
申请日 :
2005-11-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
松冈由博今村和之大岛政男铃木贵志泽田丰治
申请人 :
富士通株式会社
申请人地址 :
日本神奈川县
代理机构 :
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 :
郑小军
优先权 :
CN200510125362.4
主分类号 :
H01L23/485
IPC分类号 :
H01L23/485  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置,例如引线或接线端装置
H01L23/482
由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的
H01L23/485
包括导电层和绝缘层组成的层状结构,例如平面型触头
法律状态
2020-10-30 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/485
申请日 : 20051116
授权公告日 : 20080924
终止日期 : 20191116
2015-06-03 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101715879273
IPC(主分类) : H01L 23/485
专利号 : ZL2005101253624
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 富士通半导体股份有限公司
变更后权利人 : 株式会社索思未来
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县横滨市
变更后权利人 : 日本神奈川县
登记生效日 : 20150513
2010-11-10 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101039588085
IPC(主分类) : H01L 23/485
专利号 : ZL2005101253624
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县横浜市
变更后 : 日本神奈川县横浜市
2010-11-10 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101039588084
IPC(主分类) : H01L 23/485
专利号 : ZL2005101253624
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本神奈川县横浜市
2008-12-10 :
专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 富士通株式会社
变更后权利人 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县
变更后 : 日本东京都
登记生效日 : 20081107
2008-09-24 :
授权
2007-03-07 :
实质审查的生效
2007-01-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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