超大规模集成电路的局部互连方法及其结构
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
在氮气氛中对暴露的壕和棚极区作自对准硅化时全面形成导电的氮化钛层。对该层制作图形以提供有数量级为每方10欧姆的薄膜电阻的局部互连并允许接触与壕边界有偏差。因局部互连层能从壕向上叠加到场氧化物以对接触孔提供底部接触和扩散阻挡层，该孔在以后被穿蚀过层间氧化物。局部互连可实现隐埋接触所能实现的全部及其它功能。在提供快速紧凑的SRAM单元和含有亚微米的、不带有隐埋构造的P-沟道器件的CMOS方面有优越性。
基本信息
专利标题 ：
超大规模集成电路的局部互连方法及其结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86103067A
申请号 ：
CN86103067.2
公开（公告）日 ：
1987-07-15
申请日 ：
1986-04-30
授权号 ：
CN1012310B
授权日 ：
1991-04-03
发明人 ：
罗杰·A·纳肯汤姆士·C·哈罗伟汤姆士·E·塔魏切常蒙蒂·A·道格拉斯里拉·雷·海特里查德·A·查普曼戴维·A·比方罗伯特·格罗夫III
申请人 ：
得克萨斯仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州75265达拉斯市邮政信箱225474
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
冯晓明
优先权 ：
CN86103067.2
主分类号 ：
H01L21/90
IPC分类号 ：
H01L21/90 H01L23/485 H01L27/02
法律状态
2001-12-19 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1991-10-23 ：
授权
1991-04-03 ：
审定
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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