集成电路以及形成集成电路的方法
授权
摘要
本申请提供一种形成集成电路的方法。所述方法包括：在半导体晶片之上形成第一层，所述第一层具有第一部分及第二部分。通过将第一像场投射在第一层的第一部分之上对第一部分进行图案化，其中第一层的第一部分对应于第一像场。通过将第二像场投射在第一层的第二部分之上对第二部分进行图案化，其中第一层的第二部分对应于第二像场。在第一层之上形成第二层。通过将第三像场投射在第二层之上对第二层进行图案化，其中第三像场覆盖第一层的第一部分的大部分及第二部分的大部分。
基本信息
专利标题 ：
集成电路以及形成集成电路的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111081638A
申请号 ：
CN201910117432.3
公开（公告）日 ：
2020-04-28
申请日 ：
2019-02-15
授权号 ：
CN111081638B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
吕文祯谢明昌陈益民
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
康艳青
优先权 ：
CN201910117432.3
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-05-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20190215
申请日 : 20190215
2020-04-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN111081638A.PDF
PDF下载
