本发明涉及一种集成电路装置及其形成方法。所述集成电路装置的形成方法包括如下步骤：提供包括第一区域和第二区域的衬底，所述衬底内部具有第一插塞和第二插塞；形成覆盖所述衬底的第一覆盖层；于所述第一区域形成暴露所述第一插塞的第一开口；于所述第一开口内形成第一导电层；形成覆盖所述第一导电层和所述衬底的隔离层；于所述第一区域形成暴露所述第一导电层的接触孔和与所述接触孔连通的沟槽、并于所述第二区域形成暴露所述第二插塞的第二开口；于所述接触孔内形成导电连接层、于所述沟槽内形成第二导电层、并于所述第二开口内形成熔丝。本发明简化了熔丝的结构，使得仅需要较低的能量就可以熔断熔丝，而且简化了制造流程。