一种在集成电路管芯上形成互连结构的方法

专利权的终止

摘要

一种用于形成互连结构的方法，包括：形成嵌入第一电介质层(118)中的第一互连层(123)；通过所述第一互连层(123)表面上的原子层沉积，形成电介质钽氮化物阻挡层(150)；在所述第一互连层(123)和所述阻挡层(150)上沉积第二电介质层(134)；以及在所述电介质层(134)中向阻挡层(150)刻蚀通孔(154)。然后，通过所述通孔(154)将所述阻挡层(150)暴露在处理中，以将其从电介质相改变为导电相(180)，以及随后将所述通孔(154)用导电材料(123)进行填充。

基本信息

专利标题：

一种在集成电路管芯上形成互连结构的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101069280A

申请号：

CN200580041139.X

公开（公告）日：

2007-11-07

申请日：

2005-11-24

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

维姆·贝斯令

申请人：

皇家飞利浦电子股份有限公司

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

陈瑞丰

优先权：

CN200580041139.X

主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L21/768

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/71

限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造

H01L21/768

利用互连在器件中的分离元件间传输电流

法律状态

2017-01-11 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101697389094
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL200580041139X
申请日 : 20051124
授权公告日 : 20100113
终止日期 : 20151124

2010-01-13 ：

授权

2008-06-18 ：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080516

2008-01-23 ：

实质审查的生效

2007-11-07 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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