集成电路导线结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种集成电路导线结构及其制造方法，集成电路导线结构的制造方法包括：提供基板及位于基板上的第一介电层。在第一介电层上形成第一蚀刻遮罩。通过第一蚀刻遮罩蚀刻第一介电层，以形成沟槽。在沟槽中形成第一导电结构，并在第一导电结构及第一介电层上形成导电层。在导电层上形成对准第一导电结构设置的第二蚀刻遮罩。以及通过第二蚀刻遮罩蚀刻导电层，以形成接触第一导电结构的第二导电结构。借此，本发明的集成电路导线结构的制造方法，第一导电结构及第二导电结构可以共同形成高长径比的集成电路导线结构。
基本信息
专利标题 ：
集成电路导线结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446870A
申请号 ：
CN202011542115.5
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
钱大恩
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市泰山区南林路98号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
浦彩华
优先权 ：
CN202011542115.5
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/528
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20201223
申请日 : 20201223
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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