导线的制造方法
专利权的终止
摘要
一种导线的制造方法，此方法先提供基底，且基底上已形成至少二隔离结构，相邻二隔离结构间形成有一第一导体层。接着，于基底上形成一介电层，图案化该介电层以形成暴露该第一导体层的一开口。之后，于基底上形成一第二导体层，移除开口以外的部分第二导体层以形成电连接第一导体层的一导线。随着元件的尺寸愈来愈小，若使用本方法制作导线，其尺寸与位置精确度将不会受到光刻工艺的设计的限制。因此，可形成导线以有效地电连接半导体元件。
基本信息
专利标题 ：
导线的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101005042A
申请号 ：
CN200610005872.2
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2006-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王炳尧赖亮全杨政桓
申请人 ：
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610005872.2
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2012-03-28 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101211509865
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2006100058722
申请日 : 20060119
授权公告日 : 20090902
终止日期 : 20110119
号牌文件序号 : 101211509865
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2006100058722
申请日 : 20060119
授权公告日 : 20090902
终止日期 : 20110119
2009-09-02 ：
授权
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN100536106C.PDF
PDF下载
2、
CN101005042A.PDF
PDF下载
