导线的制造方法以及缩小导线与图案间距的方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

一种缩小导线间距的方法,首先提供基底,然后于基底上形成一层第一导体层。接着,图案化第一导体层,于第一导体层中形成多个开口。之后于第一导体层的侧壁形成多个间隙壁,这些间隙壁的宽度小于开口的宽度。继而于基底上形成第二导体层填入该些开口,且暴露出各间隙壁的顶部,其中间隙壁将第一导体层与第二导体层隔离开来,间隙壁的宽度即为第一导体层与第二导体层之间的间距。

基本信息
专利标题 :
导线的制造方法以及缩小导线与图案间距的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1979802A
申请号 :
CN200510129767.5
公开(公告)日 :
2007-06-13
申请日 :
2005-12-05
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
赖亮全王炳尧林诗绮
申请人 :
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹市
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
陶凤波
优先权 :
CN200510129767.5
主分类号 :
H01L21/768
IPC分类号 :
H01L21/768  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2021-01-08 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/768
变更事项 : 专利权人
变更前 : 合肥晶合集成电路有限公司
变更后 : 合肥晶合集成电路股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 230012 安徽省合肥市中国安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
变更后 : 230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
2020-10-13 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/768
登记生效日 : 20200917
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 力晶科技股份有限公司
变更后权利人 : 合肥晶合集成电路有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新竹科学工业园区
变更后权利人 : 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
2020-06-23 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/768
登记生效日 : 20200603
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 力晶积成电子制造股份有限公司
变更后权利人 : 力晶科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新竹科学工业园区
变更后权利人 : 中国台湾新竹科学工业园区
2019-07-16 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/768
登记生效日 : 20190626
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 力晶科技股份有限公司
变更后权利人 : 力晶积成电子制造股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新竹科学工业园区
变更后权利人 : 中国台湾新竹科学工业园区
2013-03-13 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101531200535
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2005101297675
变更事项 : 专利权人
变更前 : 力晶半导体股份有限公司
变更后 : 力晶科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 中国台湾新竹市
变更后 : 中国台湾新竹科学工业园区
2008-11-26 :
授权
2007-08-08 :
实质审查的生效
2007-06-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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