相对于光刻部件间距减小的图案
专利权的终止
摘要
通过使用掩模蚀刻衬底(110)形成集成电路(100)的不同大小的部件，其中所述掩模是通过组合两个单独形成的图案(177)和(230)而形成。使用间距倍增形成第一图案(177)的相对较小的部件(175)，且使用常规的光刻形成第二图案(230)的相对较大的部件。通过对光阻进行图案化且接着将所述图案蚀刻到非晶碳层中来实现间距倍增。接着在所述非晶碳的侧壁上形成侧壁隔离物(175)。移除所述非晶碳，从而留下所述侧壁隔离物(175)，所述侧壁隔离物(175)界定所述第一掩模图案(177)。接着在所述隔离物(175)周围沉积底部抗反射涂层(BARC)以形成平坦表面，且在所述BARC上方形成光阻层。接下来通过常规的光刻来图案化所述光阻以形成所述第二图案(230)，所述第二图案(230)接着被转移到所述BARC。将由所述第一图案(177)和第二图案(230)形成的组合图案(177、230)转移到下伏非晶硅层(150)，且使所述图案
基本信息
专利标题 ：
相对于光刻部件间距减小的图案
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101164147A
申请号 ：
CN200680013194.2
公开（公告）日 ：
2008-04-16
申请日 ：
2006-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卢安·特兰威廉·T·雷里查约翰·李拉马康斯·阿拉帕蒂希罗恩·霍纳卡孟双普尼特·夏尔马白静怡尹治平保罗·摩根米尔扎菲尔·K·阿巴切夫古尔特杰·S·桑胡D·马克·杜尔詹
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王允方
优先权 ：
CN200680013194.2
主分类号 ：
H01L21/033
IPC分类号 ：
H01L21/033 H01L21/308
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
H01L21/033
包括无机层的
法律状态
2012-05-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101243510182
IPC(主分类) : H01L 21/033
专利号 : ZL2006800131942
申请日 : 20060303
授权公告日 : 20091230
终止日期 : 20110303
号牌文件序号 : 101243510182
IPC(主分类) : H01L 21/033
专利号 : ZL2006800131942
申请日 : 20060303
授权公告日 : 20091230
终止日期 : 20110303
2009-12-30 ：
授权
2008-06-11 ：
实质审查的生效
2008-04-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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