一种用于基材上有机层光刻图案化的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种用于基材上有机层光刻图案化的方法，所述方法包括以下步骤：在有机层上提供二氧化硅保护层，在二氧化硅层上提供光刻胶层，使得所述光刻胶层光刻图案化以由此形成图案化的光刻胶层，使用图案化的光刻胶层作为掩模对二氧化硅保护层和有机层进行蚀刻，从而由此形成图案化的保护层和图案化的有机层，在基于有机层上生长了一层SiO2保护层，在后续光刻过程中SiO2层与光刻胶有很好的吸附性，能够呈现出很好的光刻图案；并且能够保护有机半导体层与绝缘层在后续光刻过程中，不被显影液，去胶液和清洗液腐蚀。
基本信息
专利标题 ：
一种用于基材上有机层光刻图案化的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334617A
申请号 ：
CN202210025402.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张珺王宇豪郭宇锋黄辰阳周嘉益姚佳飞
申请人 ：
南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市港闸区新康路33号云院9、10幢
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
王素琴
优先权 ：
CN202210025402.1
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/033 H01L51/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/027
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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