缩小光刻胶接触孔图案的临界尺寸的方法

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种在半导体器件的光刻过程中缩小用于形成接触孔的光刻胶图案的临界尺寸，从而允许得到临界尺寸在90nm以下的接触孔图案的方法。所述方法包括a)在衬底上涂覆光刻胶，形成光刻胶层；b)利用具有预定图案的掩模对光刻胶层进行曝光；c)在曝光后的光刻胶层上涂布光酸抑制剂；d)对涂布有光酸抑制剂的光刻胶层进行曝光后烘烤；和e)利用显影剂对经上述处理的光刻胶层进行显影，得到临界尺寸缩小的接触孔图案。

基本信息

专利标题：

缩小光刻胶接触孔图案的临界尺寸的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101042536A

申请号：

CN200610024870.8

公开（公告）日：

2007-09-26

申请日：

2006-03-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

崔彰日

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

顾晋伟

优先权：

CN200610024870.8

主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/20 G03F7/38 G03F1/00 H01L21/027

相关图片

IPC结构图谱

G部——物理

G03

摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术

G03F

图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备

G03F7/00

图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备

G03F7/20

曝光及其设备

法律状态

2020-03-10 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20060320
授权公告日 : 20090610
终止日期 : 20190320

2011-12-28 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101254512562
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利号 : ZL2006100248708
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111121

2009-06-10 ：

授权

2007-11-21 ：

实质审查的生效

2007-09-26 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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2、

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