缩小关键尺寸的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种缩小关键尺寸的方法，其是对于光致抗蚀剂层进行一曝光工艺以及一显影工艺，其特征在于：于曝光工艺与显影工艺之间进行一光学修剪曝光工艺或是于曝光工艺之前，先进行此一光学修剪曝光工艺。其中光学修剪曝光工艺是采用一全开光掩模对光致抗蚀剂层进行曝光，而全开光掩模的透过率大于0。由于本发明采用光学修剪曝光工艺，可以大幅地缩小光致抗蚀剂层的关键尺寸，且不会影响光致抗蚀剂层的性质，因此有利于后续的工艺。
基本信息
专利标题 ：
缩小关键尺寸的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1866130A
申请号 ：
CN200610059186.3
公开（公告）日 ：
2006-11-22
申请日 ：
2006-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张圣岳吴得鸿黄国俊
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610059186.3
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G03F1/00 H01L21/027
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2009-09-09 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-01-17 ：
实质审查的生效
2006-11-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1866130A.PDF
PDF下载
