基于缺陷概率分布和关键尺寸变化的光刻改进
公开
摘要
某些方面涉及一种用于改进光刻配置的方法。在光刻配置中，源照射掩模以曝光晶片上的抗蚀剂。处理器确定基于缺陷的聚焦曝光窗口(FEW)。基于缺陷的FEW是在晶片上具有可接受缺陷水平的情况下，针对光刻配置的焦深和曝光宽容度的区域。基于缺陷的FEW基于在晶片上出现缺陷的预测概率分布而被确定。处理器还确定基于关键尺寸(CD)的FEW。基于CD的FEW是在晶片上具有可接受CD变化水平的情况下，针对光刻配置的焦深和曝光宽容度的区域。基于CD的FEW基于晶片上的预测CD而被确定。光刻配置基于增加基于缺陷的FEW和基于CD的FEW之间的重叠区域而被修改。
基本信息
专利标题 ：
基于缺陷概率分布和关键尺寸变化的光刻改进
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114514473A
申请号 ：
CN202080066477.3
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-09-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
L·S·梅尔文Y·P·坎德尔彦其良U·K·科洛斯特曼
申请人 ：
美商新思科技有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202080066477.3
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G03F9/00 G03F1/70
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
