大尺寸芯片光刻拼接方法
公开
摘要
本发明提供一种大尺寸芯片光刻拼接方法，包括：1)：设计拼接光刻版，找出大尺寸芯片中的重复性小结构图形模块，然后根据每个重复性和/或非重复性的小结构图形模块的面积将其制作在光刻版上，直至将所有小结构图形模块的图形全部制作在多块光刻版上，形成所述拼接光刻版；2)：采用步进式光刻机进行第一层的光刻拼接工艺；3)：采用所述步进式光刻机进行第二层的光刻拼接工艺；4)：重复执行步骤3)直至完成所述大尺寸芯片所有层次的拼接光刻工艺。采用本光刻拼接方法，可减少光刻版上的图形占用率，大幅度提升光刻版有效曝光区域利用率；另外，还可有效减少光刻版的数量，降低光刻版成本，并且能使大尺寸芯片在光刻时提升曝光速度。
基本信息
专利标题 ：
大尺寸芯片光刻拼接方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114624960A
申请号 ：
CN202011457478.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨赟娥龚燕飞
申请人 ：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路235号1号楼
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
贺妮妮
优先权 ：
CN202011457478.9
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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