精简光刻Split-Gate MOSFET芯片

授权

摘要

本实用新型涉及一种精简光刻Split‑Gate MOSFET芯片，包括N+衬底和N‑外延，N‑外延内设有有源区沟槽及终止区沟槽，其特征是，所述的终止区沟槽宽度为有源区沟槽宽度的5‑30倍。本实用新型采用新的结构设计使原来的7道光刻制程简化为5道光刻，大大降低了制作成本。本实用新型结构亦可适用于其它沟槽式元件相类似的架构。

基本信息

专利标题：

精简光刻Split-Gate MOSFET芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021818076.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-26

授权号：

CN212542445U

授权日：

2021-02-12

发明人：

关仕汉薛涛迟晓丽

申请人：

淄博汉林半导体有限公司

申请人地址：

山东省淄博市高新区政通路135号高科技创业园C416室

代理机构：

淄博川诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

高鹏飞

优先权：

CN202021818076.2

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/06