本发明提供一种PG芯片光刻生产工艺，涉及半导体器件加工技术领域。本发明中包括准备粘度为300～400mPa.S的光刻胶；在所述光刻胶中添加玻璃粉，并装入盛有陶瓷球的陶瓷罐中，通过滚动的方式，将玻璃粉碾碎混合均匀，获取玻璃浆；所述玻璃粉的质量为光刻胶质量的1～2倍；通过涂布机将所述玻璃浆均匀涂覆在硅片的表面，在通过曝光将光刻版的图案转移到所述硅片上；通过喷淋显影的方式将所述硅片中心多余的玻璃浆去除；上述玻璃浆配置，使粘度降低，改善玻璃浆在晶圆表面的流动性，更加均匀的覆盖，并且由于粘度降低在显影时可以降低喷淋压力和时间，减少或避免了有机溶液向玻璃粉中的渗透，在玻璃烧结后，玻璃在融化结晶过程中不会改变方向，避免空洞的产生。