STD芯片生产工艺
公开
摘要
STD芯片生产工艺，属于半导体技术领域。其特征是，将硅片分成两组处理，硅片A的磷扩散、硅片B的硼扩散同时进行，再将硅片A和硅片B进行键合，以缩短生产周期。本发明利用键合工艺将N‑区与P+区键合，可以达到N+区与P+区同步进行扩散工艺的目的，缩短了生产周期。经过实际生产，本发明的STD芯片生产工艺，生产周期在20天左右，较现有生产工艺，周期减少了十天，显著降低了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
STD芯片生产工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300345A
申请号 ：
CN202111579230.4
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
焦丹钧钱林春刘宗帅王超
申请人 ：
江苏汀普微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区高新技术开发区吉安南路158号金荣科技园创富工场4号北楼三层众创空间
代理机构 ：
扬州启达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周青
优先权 ：
CN202111579230.4
主分类号 ：
H01L21/18
IPC分类号 ：
H01L21/18 H01L21/225 H01L21/228
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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