一种制备半导体硅芯片的生产工艺
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摘要
本发明公开了一种制备半导体硅芯片的生产工艺，能够将裸硅晶圆片原料在一个工作腔体内实现加工步骤，且最终完成符合产品要求质量及规格的半导体硅芯片，从而可以节省晶圆制造和加工工具的成本，也可以降低工厂厂房的占地面积及成本的一种制备半导体硅芯片的生产工艺；本发明是对现有技术一次扩展性的技术创新，具有很好的推广和使用价值。
基本信息
专利标题 ：
一种制备半导体硅芯片的生产工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111312583A
申请号 ：
CN202010248192.3
公开（公告）日 ：
2020-06-19
申请日 ：
2020-04-01
授权号 ：
CN111312583B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
陈维恕
申请人 ：
山东职业学院
申请人地址 ：
山东省济南市历下区解放路62号
代理机构 ：
北京汇信合知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐荣荣
优先权 ：
CN202010248192.3
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2020-07-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20200401
申请日 : 20200401
2020-06-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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