一种采用蜂窝状光刻版和刀刮法的GPP二极管芯片生产工艺
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种采用蜂窝状光刻版和刀刮法的GPP二极管芯片生产工艺，涉及半导体器件的制造。本发明相比基于传统图形掩膜版的刀刮法工艺而言，通过采用第一掩膜版和第二掩膜版组成的新型六边形蜂窝状双沟槽光刻掩膜版，并将其应用于GPP玻璃封装刀刮工艺中，从而只需要一台曝光机就可以完成一次曝光及二次套刻曝光，减少了双面曝光机这台设备，同时本发明也相应省去了价格昂贵的背面光刻版和背面刻蚀所需耗材。而且，由于本发明二次套刻后晶片的刻蚀面拥有正面切割道，因此芯片可以直接采用激光进行高速切割，并且直接得到完整的芯粒，不需要增加人工裂片的环节，具有极高的生产效率和成本优势。
基本信息
专利标题 ：
一种采用蜂窝状光刻版和刀刮法的GPP二极管芯片生产工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420560A
申请号 ：
CN202210037382.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
虞旭俊金家斌王俊贺鸿浩朱燕飞毛建军任亮
申请人 ：
杭州赛晶电子有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区靖江街道和顺村黎明社区
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
傅朝栋
优先权 ：
CN202210037382.X
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L21/027
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/329
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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