本申请实施例涉及光刻、剥离工艺及制造芯片的方法。根据本申请的一实施例，一种光刻工艺的方法包括：提供位于衬底上的光阻层；对所述光阻层的上表面的仅部分区域进行两次曝光，使得自所述部分区域延伸至所述光阻层的下表面的区域形成具有不同显影特性的上部和下部；以及对经两次曝光的光阻层进行显影，其中所述上部经显影后仍保留，所述下部经显影后宽度变小且形成大致垂直于所述衬底的侧壁。本申请实施例还提供了一种剥离工艺及制造芯片的方法，其包括上述光刻工艺的方法。本申请实施例提供的光刻、剥离工艺及制造芯片的方法可有效解决传统技术中遇到的问题。