使用带电粒子多小束光刻系统制造独特芯片
实质审查的生效
摘要
使用利用无掩模图案写入器的无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法。该方法包括生成小束控制数据，用于控制无掩模图案写入器来曝光晶片以用于电子器件的创建，其中基于特征数据集生成小束控制数据，该特征数据集定义能够被选择用于对电子器件进行个性化的特征，其中根据小束控制数据对晶片的曝光导致曝光图案，该图案针对所述电子器件的不同子集具有对来自特征数据集的特征的不同选择。
基本信息
专利标题 ：
使用带电粒子多小束光刻系统制造独特芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114355733A
申请号 ：
CN202210036020.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2017-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·N·J·范科温克V·S·凯珀M·J-J·维兰德
申请人 ：
ASML荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰维德霍温
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN202210036020.9
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20171222
申请日 : 20171222
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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