多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法
实质审查的生效
摘要
一种多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法,该装置具备:多个剂量数据生成电路,生成试样的描绘区域内的各位置的剂量数据;带余量块区域生成电路,生成在试样的各块区域的周围附加余量区域的多个带余量块区域;检测电路,检测缺陷射束;确定电路,确定缺陷射束照射的位置;所属判定电路,按照根据缺陷射束照射的位置成为多个子块区域的哪个区域来设定的条件,判定缺陷射束照射的位置所属的多个带余量块区域中的一个;缺陷射束校正电路,使用所属的带余量块区域内的各位置的剂量的数据,运算校正剂量异常的至少一个位置的校正剂量;描绘机构,使用校正剂量异常的至少一个位置的剂量被控制为校正剂量的多带电粒子束,在试样上描绘图案。
基本信息
专利标题 :
多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114388351A
申请号 :
CN202111142682.6
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2021-09-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
加藤靖雄川名亮
申请人 :
纽富来科技股份有限公司
申请人地址 :
日本神奈川县
代理机构 :
永新专利商标代理有限公司
代理人 :
刘杰
优先权 :
CN202111142682.6
主分类号 :
H01L21/027
IPC分类号 :
H01L21/027 G03F7/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/027
申请日 : 20210928
申请日 : 20210928
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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