使用带电粒子多束波光刻系统制造独特芯片
实质审查的生效
摘要
使用无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法，无掩模光刻曝光系统使用无掩模图案写入器，其中生成用于控制无掩模图案写入器曝光晶片以用于创建电子器件的束波控制数据。基于设计版图数据和选择数据生成束波控制数据，设计版图数据定义适用于要从晶片制造的电子器件的多个结构(例如，过孔)，选择数据定义设计版图数据的哪些结构适用于要从晶片制造的每个电子器件，选择数据定义用于电子器件的不同子集的结构的不同集合。根据束波控制数据对晶片的曝光导致针对电子器件的不同子集曝光具有结构的不同集合的图案。
基本信息
专利标题 ：
使用带电粒子多束波光刻系统制造独特芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114488706A
申请号 ：
CN202210050809.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2017-09-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·N·J·范科尔维克V·S·凯伯M·J-J·维兰德
申请人 ：
ASML荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰维德霍温
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN202210050809.X
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 H01L21/027
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20170908
申请日 : 20170908
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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