光刻拼接误差的检测方法、二维光栅的制造方法及掩模板
公开
摘要
本发明提供了光刻拼接误差的检测方法、二维光栅的制造方法及掩模板,光刻拼接误差的检测方法包括:在衬底上形成光刻胶层;利用掩模板执行曝光和显影工艺形成图形化的光刻胶层,掩膜版包括第一重复曝光区域和第二重复曝光区域,第一重复曝光区域和第二重复曝光区域位于掩模板的曝光区边缘,第一重复曝光区域上的光栅图形与第二重复曝光区域上的光栅图形互补,曝光时相邻曝光场的第一重复曝光区域和第二重复曝光区域重叠;利用缺陷扫描设备检测相邻曝光场的第一重复曝光区域和第二重复曝光区域形成的图形化的光刻胶层的拼接误差。根据拼接误差检测结果,可以确定二维光栅的拼接误差的位置、方向和大小,进行工艺修正,避免二维光栅出现拼接误差。
基本信息
专利标题 :
光刻拼接误差的检测方法、二维光栅的制造方法及掩模板
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114296321A
申请号 :
CN202111643281.9
公开(公告)日 :
2022-04-08
申请日 :
2021-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘谆骅袁伟
申请人 :
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请人地址 :
上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2216室
代理机构 :
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
曹廷廷
优先权 :
CN202111643281.9
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20 G03F1/44 G02B5/18
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-04-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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