双向扫描的拼接错位补偿方法和无掩膜光刻设备
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摘要

本发明提出了一种基于双向扫描的拼接错位补偿方法和无掩膜光刻设备,该拼接方法包括:获取扫描速度;根据扫描速度和扫描延时时间计算正向扫描延时距离和反向扫描延时距离;根据正向扫描延时距离调整正向扫描理论起始点坐标;根据反向扫描延时距离调整反向扫描理论起始点坐标;根据正向扫描起始点坐标获得正向扫描曝光数据,以及根据反向扫描起始点坐标获得反向扫描曝光数据;将正向扫描曝光数据和反向扫描曝光数据进行拼接。根据本发明实施例的基于双向扫描的拼接错位补偿方法,通过补偿正向扫描起始点坐标和反向扫描起始点坐标,解决不同速度扫描过程中的拼接错位问题。

基本信息
专利标题 :
双向扫描的拼接错位补偿方法和无掩膜光刻设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111552151A
申请号 :
CN202010260623.8
公开(公告)日 :
2020-08-18
申请日 :
2020-04-03
授权号 :
CN111552151B
授权日 :
2022-06-14
发明人 :
卞洪飞董帅徐晚晴
申请人 :
合肥芯碁微电子装备股份有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F3楼11层
代理机构 :
北京景闻知识产权代理有限公司
代理人 :
贾玉姣
优先权 :
CN202010260623.8
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20  
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IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-06-14 :
授权
2020-09-11 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20200403
2020-08-18 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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