掩膜版的套刻补偿参数的确定方法及装置、终端
实质审查的生效
摘要
一种掩膜版的套刻补偿参数的确定方法及装置、终端，所述方法包括：在第一掩膜版上确定多个定位点，并获取每一个定位点在所述第一掩膜版的位置，所述多个定位点的数量不小于一预设数量；确定所述多个定位点中的每一个定位点在第二掩膜版的位置；基于每一个定位点，确定该定位点在所述第一掩膜版与所述第二掩膜版上所形成的偏差向量；基于所述多个定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值；根据所述第一掩膜版的套刻补偿参数以及所述套刻补偿参数偏差值，确定所述第二掩膜版的套刻补偿参数。本发明可以提高确定掩膜版的套刻补偿参数的效率，降低成本。
基本信息
专利标题 ：
掩膜版的套刻补偿参数的确定方法及装置、终端
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114415475A
申请号 ：
CN202111647487.9
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
全芯智造技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期J2C栋13楼
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
武振华
优先权 ：
CN202111647487.9
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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