套刻对准标记
授权
摘要
提出一种位于已形成图案的晶片中的套刻对准标记，所述晶片具备位于其第一层中的下层图案和位于其第一层上方的第二层中的上层图案，所述套刻对准标记包括：第一图案，作为所述下层图案的一部分且包括：形成于所述第一层的一对实体特征；第二图案，作为所述上层图案的一部分且包括：形成于所述第二层的两对镂空特征，一对镂空特征的几何中心连线与另一对镂空特征的几何中心连线分别沿正交的两方向延伸，所述一对实体特征在晶片上的正投影与所述两对镂空特征中的相应一对镂空特征在晶片上的正投影至少部分地重叠。
基本信息
专利标题 ：
套刻对准标记
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020992245.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-03
授权号 ：
CN212515348U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
马卫民韩春营刘成成黄守艳
申请人 ：
中科晶源微电子技术（北京）有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路156号院12号楼5层
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王益
优先权 ：
CN202020992245.8
主分类号 ：
G03F9/00
IPC分类号 ：
G03F9/00 G03F7/20
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F9/00
原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位，例如自动地
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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