一种套刻标记
公开
摘要
本发明提供一种套刻标记，该套刻标记形成在半导体衬底中，包括第一测量标记、第二测量标记以及辅助图形；第一测量标记形成在第一层中；第二测量标记形成在第二层中，第二层形成在第一层之后的同一位置；辅助图形均匀分布在第一测量标记的外侧周围，与所述第一测量标记位于同一层。本发明通过在现有套刻标记图形的周围添加密集对称分布的直线型图形辅助图形，解决了光刻工艺过程中由于套刻标记不对称导致的测量精度不准确的问题，提高了测量精度和器件良率。
基本信息
专利标题 ：
一种套刻标记
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114578662A
申请号 ：
CN202210185959.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴杰邹建祥娄迪
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
王关根
优先权 ：
CN202210185959.1
主分类号 ：
G03F9/00
IPC分类号 ：
G03F9/00 G03F7/20 H01L23/544
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F9/00
原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位，例如自动地
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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