套刻误差的补偿方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种套刻误差的补偿方法，首先提供参考衬底，在所述参考衬底上依次形成第一图形层与第二层图形层，获取第二图形层与第一图形层之间的套刻误差参数，接着提供衬底，在衬底上依次形成第一图形层、第二图形材料层与第一光刻胶层，在对所述第一光刻胶层进行曝光之前，根据所述套刻误差参数，对所述第一光刻胶层进行衬底旋转量补偿与曝光场涨缩量补偿，之后再对第一光刻胶层进行曝光最终形成第二图形层，通过在曝光之前对第一光刻胶层进行补偿，以此降低第二图形层与第一图形层之间的套刻误差，提高产品良率。
基本信息
专利标题 ：
套刻误差的补偿方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114545743A
申请号 ：
CN202210158358.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
项宁曲厚任鲍丙辉索圣涛
申请人 ：
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202210158358.1
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 H01L21/027
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20220221
申请日 : 20220221
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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