套刻误差补偿方法及光刻曝光方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种套刻误差补偿方法及光刻曝光的方法，包括以下步骤：提供一晶圆，晶圆具有对准标记；装载所述晶圆，测量对准标记的第一位置；将晶圆翻转180°，测量对准标记的第二位置，并计算第一位置与第二位置的位置误差；计算对准标记的补偿量，然后进行补偿。与现有技术相比，本申请实施例将机台误差(Tool‑Induced Shift，TIS)补偿方法应用到对准标记的误差补偿，以解决对准标记对准偏差的问题。
基本信息
专利标题 ：
套刻误差补偿方法及光刻曝光方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114518693A
申请号 ：
CN202011308202.4
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田范焕梁时元贺晓彬李亭亭杨涛刘金彪
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011308202.4
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20201119
申请日 : 20201119
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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