大面积紫外光刻(曝光)方法及其装置
专利申请的视为撤回
摘要
本发明涉及一种接触/接近式大面积紫外均匀辐照光刻(曝光)的方法及其装置，采用了可将辐照面内辐照不均匀度与曝光过程中产生的曝光不均匀度互相补偿的偶数光通道光学积分器、复合式高次非球面的聚光镜和可移动式曝光方式，使得在增大有效辐照面积的同时提高了曝光均匀度，为液晶显示器，特别是液晶电视技术中的关键器件有源矩阵液晶显示器的研制提供了有效手段，它还适用于大规模集成电路和精密印刷电路板的制作及太阳紫外辐照模拟实验等方面。
基本信息
专利标题 ：
大面积紫外光刻(曝光)方法及其装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1059039A
申请号 ：
CN90107038.6
公开（公告）日 ：
1992-02-26
申请日 ：
1990-08-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
仲跻功
申请人 ：
中国科学院长春光学精密机械研究所
申请人地址 ：
130022吉林省长春市斯大林大街112号
代理机构 ：
中国科学院长春专利事务所
代理人 ：
顾业华
优先权 ：
CN90107038.6
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
1997-07-23 ：
专利申请的视为撤回
1993-06-09 ：
实质审查请求的生效
1992-02-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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