光刻曝光方法
公开
摘要
本发明提供一种光刻曝光方法，包括：1)在衬底上形成光刻胶层；2)采用投影式曝光机台对光刻胶层进行光刻处理，形成对位图形；3)将衬底移至接触式曝光机台，并基于对位图形，使接触式曝光机台上的光掩模与衬底进行对位，保存此时光掩模的坐标与衬底上的对位图形的坐标；4)将接触式曝光机台切换至不对位模式，通过上述的光掩模的坐标将光掩模及光掩模夹具的位置固定并保持不变，通过上述对位图形的坐标将衬底卡盘的位置固定并保持不变，依次将需要曝光的晶圆放入衬底卡盘中进行曝光处理。本发明可以有效解决接触式曝光机台前层曝光存在OVL偏移及旋转偏移问题，使得后续的投影式曝光提供较高的可能性及精度，大大提升了工艺能力。
基本信息
专利标题 ：
光刻曝光方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114624968A
申请号 ：
CN202011445044.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘涛
申请人 ：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路235号1号楼
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN202011445044.7
主分类号 ：
G03F9/00
IPC分类号 ：
G03F9/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F9/00
原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位，例如自动地
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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