半导体光刻的投射曝光设备
公开
摘要
本发明涉及用于具有投射光学单元(9)的半导体光刻的投射曝光设备(1)，其包括传感器框(30)、携载框(40)、模块(50)，该模块(50)具有光学元件(52)以及用于定位和/或取向光学元件(52)的致动器(53)，其中模块(50)布置在携载框(40)上并且传感器框(30)被实施为光学元件(52)的定位的参考，并且其中模块(50)包括基础结构(60)。根据本发明，基础结构(60)被实施为使得其包括用于将模块(50)与投射光学单元(9)分离的接口(62、70)。此外，本发明包括用于更换半导体光刻的投射曝光设备(1)的投射光学单元(9)的模块(50)的方法，其中模块(50)包括光学元件(52)。根据本发明，用于定位和/或取向光学元件(52)的参考(55)在更换模块(50)期间保留在投射曝光设备(1)中。
基本信息
专利标题 ：
半导体光刻的投射曝光设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114514472A
申请号 ：
CN202080065897.X
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-09-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J.库格勒M.费金S.泽尔特S.亨巴赫尔B.盖尔里奇
申请人 ：
卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请人地址 ：
德国上科亨
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
王蕊瑞
优先权 ：
CN202080065897.X
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G02B7/02 G02B7/182
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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