用于EUV投射光刻的投射光学单元
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摘要
一种用于EUV投射光刻的投射光学单元(7)，具有用于以照明光(3)将物场(4)成像至像场(8)的多个反射镜(M1至M10)。反射镜中的至少一个反射镜(M1，M9，M10)实施为NI反射镜且反射镜中的至少一个反射镜(M2至M8)实施为GI反射镜。在垂直于入射平面(yz)的范围平面(xz)中的至少一个NI反射镜的反射镜尺寸Dx满足以下关系：4LLWx/IWPVmax＜Dx。在入射平面(yz)中的至少一个GI反射镜的反射镜尺寸Dy满足以下关系：4LLWy/(IWPVmax cos(a))＜Dy。在此处，LLWx及LLWy表示投射光学单元(7)在范围平面(xz)及在入射平面(yz)中的光展量，且IWPVmax表示在NI反射镜(M1，M9，M10)的反射表面上及在GI反射镜(M2至M8)的反射表面上的照明光(3)的最大入射角与最小入射角之间的最大差异。a表示在GI反射镜(M2至M8)的反射表面上的中心场点的主射线(16)的入射角。这产生了可优化的投射光学单元，特别是针对非
基本信息
专利标题 ：
用于EUV投射光刻的投射光学单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109478020A
申请号 ：
CN201780042774.2
公开（公告）日 ：
2019-03-15
申请日 ：
2017-06-28
授权号 ：
CN109478020B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
M.施瓦布H.恩基施T.希克坦兹
申请人 ：
卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请人地址 ：
德国上科亨
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邱军
优先权 ：
CN201780042774.2
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G02B17/06
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-08-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20170628
申请日 : 20170628
2019-03-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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