对于测量光刻掩模确定成像光学单元的成像像差贡献的方法
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摘要
对于测量光刻掩模确定成像光学单元的成像像差贡献包含：首先焦点相关地测量成像光学单元的3D空间像，按照通过成像光学单元对物体成像的像面的区域中以及与该像面平行的不同测量平面中的2D强度分布的序列。然后由具有散斑图案的测量的2D强度分布的傅里叶变换来确定3D空间像的散斑图案的频谱。对于频域中的多个频谱分量，然后确定所述频谱分量的实部RS(z)和虚部IS(z)的焦点相关性。从实部RS(z)和虚部IS(z)的焦点相关性的确定值，由掩模结构对散斑图案频谱做出的贡献(该贡献将被消除)然后从由成像光学单元对散斑图案频谱做出的成像像差贡献分离出。然后表示成像像差贡献。
基本信息
专利标题 ：
对于测量光刻掩模确定成像光学单元的成像像差贡献的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110174822A
申请号 ：
CN201910135916.0
公开（公告）日 ：
2019-08-27
申请日 ：
2019-02-21
授权号 ：
CN110174822B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
M.科赫D.黑尔韦格R.卡佩利M.迪茨尔
申请人 ：
卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请人地址 ：
德国上科亨
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
王蕊瑞
优先权 ：
CN201910135916.0
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G01M11/02
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IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2019-09-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20190221
申请日 : 20190221
2019-08-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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