二次成像光学光刻方法和设备
授权
摘要
本公开提出了一种二次成像光学光刻方法和设备。所述二次成像光学光刻方法包括：将光刻掩模板与柔性透明转移衬底紧密接触；用第一光源通过所述光刻掩模板照射所述柔性透明转移衬底的感光层，以将所述光刻掩模板的图案转移到所述柔性透明转移衬底的感光层；在用于制作器件的器件衬底上涂覆光致抗蚀剂；将所述柔性透明转移衬底与已涂覆光致抗蚀剂的器件衬底紧密接触；用第二光源通过所述柔性透明转移衬底照射所述器件衬底，以通过对所述光致抗蚀剂曝光将所述柔性透明转移衬底的感光层的图案转移到所述器件衬底的光致抗蚀剂上；对包括已曝光光致抗蚀剂的所述器件衬底进行显影，得到与所述光刻掩模板的图案一致的器件图案。
基本信息
专利标题 ：
二次成像光学光刻方法和设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109901362A
申请号 ：
CN201711316102.4
公开（公告）日 ：
2019-06-18
申请日 ：
2017-12-11
授权号 ：
CN109901362B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
罗先刚王长涛王彦钦孔维杰高平赵泽宇
申请人 ：
中国科学院光电技术研究所
申请人地址 ：
四川省成都市双流350信箱
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
倪斌
优先权 ：
CN201711316102.4
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-12-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20171211
申请日 : 20171211
2019-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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