光学近场显微光刻方法及所用的显微光刻装置
专利申请的视为撤回
摘要
本发明涉及一种借助光束和/或电子束，在表面上获取亚微米结构的光学机械或电子机械的刻印为目的对晶片型基片直接扫描的显微光刻方法，其特征是，用光束和/或电子束的源，借助一个波导邻近性探测器，例如：光纤邻近性探测器来保持与基片成一个适当的距离，该探测器能测量出与所说距离有关的，位于所说探测器端头的近场部分内由基片反射的电磁波强度的迅速变化，本发明也涉及采用该方法的显微光刻装置。
基本信息
专利标题 ：
光学近场显微光刻方法及所用的显微光刻装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1052559A
申请号 ：
CN90108839.0
公开（公告）日 ：
1991-06-26
申请日 ：
1990-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
戴佛奈尔殷得奈特·吉恩-皮埃尔曼特瓦尼·詹姆斯
申请人 ：
斯皮拉尔研究发展公司
申请人地址 ：
法国库泰尔龙
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
乔晓东
优先权 ：
CN90108839.0
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 H01L21/302 G02B26/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
1995-01-04 ：
专利申请的视为撤回
1992-12-02 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1991-06-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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