光源优化方法、光源优化装置、光刻系统及光刻方法

授权

摘要

本发明提供了一种光源优化方法，包括以下步骤：利用光刻机上不同的光源生成相应的PW OPC模型，所述PW OPC模型是建立在目标工艺窗口条件下能仿真出晶圆上光阻关键尺寸大小的模型；采用所述PW OPC模型对所述晶圆的目标版图进行模拟仿真，并输出多个评判参数；根据所有的所述评判参数筛选出对所述目标版图最友好的光源。所述光源优化方法与现有技术中采用不同的光源在硅片上收集数据的方式相比，不需要收集海量的焦点曝光矩阵(FEM)数据，节省大量的开发时间、人力以及机台资源，即能高效快捷地实现光源的筛选优化，提高光源筛选效率，而且更能直观地反映出不同光源之间的差别。本发明还提供了一种光源优化装置、光刻系统及光刻方法。

基本信息

专利标题：

光源优化方法、光源优化装置、光刻系统及光刻方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110618584A

申请号：

CN201910891431.4

公开（公告）日：

2019-12-27

申请日：

2019-09-20

授权号：

CN110618584B

授权日：

2022-04-05

发明人：

刘娟刘建忠于世瑞

申请人：

上海华力微电子有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区良腾路6号

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

曹廷廷

优先权：

CN201910891431.4

主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/20