本申请实施例公开了一种光刻图形的优化方法及装置，该方法用于集成电路器件；具体包括：获取光刻图形的样本数据，样本数据包括所述目标图形区的第一尺寸信息以及所述至少两个材料层的材料信息；基于样本数据生成的第一光罩图形对光刻胶图层进行光刻，生成第一目标图形，第一目标图形的图形尺寸误差大于误差阈值；基于第一目标图形的图形尺寸误差进行光学邻近OPC校正，获得矫正后的第二光罩图形。本方案可以对图形尺寸误差超过阈值的第一光罩图形进行图形优化，获得图形尺寸误差更小的第二光罩图形，不仅提高了光刻的精度，避免出现光刻胶残留，且提高了后续的工艺窗口，提高产品的良品率。