本发明涉及光刻建模技术领域，特别涉及一种光刻模型优化方法。本发明的光刻胶模型优化方法先提供初始光刻胶模型，再设定初始测量线，将初始测量线在预设范围内移动获得偏移测量线，求得所有偏移测量线中格点依赖误差最大的偏移测量线，将该偏移测量线的每个光刻胶项对应的信号与初始测量线的每个光刻胶项对应的信号比对获得对格点依赖误差影响最大的信号，限制该信号并得到初始标定光刻胶模型。通过计算对比找到对格点依赖误差影响最大信号，并限制影响最大的信号的设计，使得标定模型过程中信号对模型的影响降低，从而提高模型的精度，解决了现有技术模型精度不足的问题。