一种光刻模型优化方法
公开
摘要
本发明涉及光刻建模技术领域，特别涉及一种光刻模型优化方法，用于降低光刻模型中的格点依赖性影响，包括以下步骤：获取实际关键尺寸，根据获取的实际关键尺寸计算对应的预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性；根据预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性至少获取到各个预设关键尺寸的最大偏移位置及最大格点依赖性两种关键数值；根据与各个预设关键尺寸相对应的至少两种关键数值对预设关键尺寸的格点依赖性进行评估；根据评估结果对相应的预设关键尺寸进行调整；此设计能解决现有光刻模型格点依赖性太大的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种光刻模型优化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114357928A
申请号 ：
CN202111680682.1
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高世嘉
申请人 ：
东方晶源微电子科技(北京)有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路156号院12号楼
代理机构 ：
深圳市智享知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔺显俊
优先权 ：
CN202111680682.1
主分类号 ：
G06F30/392
IPC分类号 ：
G06F30/392 G06F30/398
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/392
平面规划或布局，例如,分区或放置
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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