基于光刻模型参数预测缺陷率
公开
摘要
经校准的光刻模型可以被用于基于集成电路(IC)设计布局生成光刻模型输出。然后，可以从光刻模型输出至少提取化学参数。然后，经校准的缺陷率模型可以被用于基于化学参数预测针对IC设计布局的缺陷率。
基本信息
专利标题 ：
基于光刻模型参数预测缺陷率
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556226A
申请号 ：
CN202080072462.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
E·A·威尔迪安U·K·科洛斯特曼U·威林汤九洲H-J·斯托克
申请人 ：
美商新思科技有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202080072462.8
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G06F17/15 G06F30/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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