预测晶圆缺陷的方法
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摘要
本公开提供一种预测晶圆缺陷的方法，包括：接收从测试晶圆获得的缺陷数据。测试晶圆是依据集成电路设计布局而被制造。基于缺陷数据接收多个第一注意区域，第一注意区域个别对应集成电路设计布局的发生晶圆缺陷的区域。对第一注意区域执行频域分析。至少部分地基于频域分析，借此对集成电路设计布局的晶圆缺陷几率进行预测操作。
基本信息
专利标题 ：
预测晶圆缺陷的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108122799A
申请号 ：
CN201710794558.5
公开（公告）日 ：
2018-06-05
申请日 ：
2017-09-06
授权号 ：
CN108122799B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
张仰宏孙哲原柯志明胡浚明
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
李昕巍
优先权 ：
CN201710794558.5
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-12-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20170906
申请日 : 20170906
2018-06-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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