基于孔径分布曲线的MOFs材料缺陷结构预测方法
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摘要
本发明公开了一种基于孔径分布曲线的MOFs材料缺陷结构预测方法,首先,以一种MOFs的完美晶体结构为母体,基于计算机模拟遍历该MOFs配体缺失缺陷的含量和分布,生成MOFs的缺陷结构数据库;然后基于计算机模拟计算出所有缺陷结构的孔径分布曲线,对孔径分布曲线进行间隔取点,得到不同孔径下对应的孔径分布,并整理成数据集;再利用数据集训练机器学习模型;最后将待测的MOFs材料的孔径分布曲线输入到训练好的机器学习模型中,由机器学习模型预测出对应的缺陷含量。本发明可通过孔径分布曲线快速准确地确定MOFs材料的缺陷含量。
基本信息
专利标题 :
基于孔径分布曲线的MOFs材料缺陷结构预测方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112927769A
申请号 :
CN202110114781.7
公开(公告)日 :
2021-06-08
申请日 :
2021-01-26
授权号 :
CN112927769B
授权日 :
2022-05-24
发明人 :
奚红霞段海鹏吴颖
申请人 :
华南理工大学
申请人地址 :
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 :
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 :
郑浦娟
优先权 :
CN202110114781.7
主分类号 :
G16C60/00
IPC分类号 :
G16C60/00 G16C20/50 G16C20/70 G16C10/00
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IPC结构图谱
G
G部——物理
G16
特别适用于特定应用领域的信息通信技术
G16C
计算化学;化学信息学; 计算材料科学
G16C60/00
计算机材料科学,即专门用于研究与其设计、合成、加工、表征或利用相关的材料或现象的物理或化学特性的ICT
法律状态
2022-05-24 :
授权
2021-06-25 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G16C 60/00
申请日 : 20210126
申请日 : 20210126
2021-06-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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