一种负向显影光刻胶模型优化方法
公开
摘要
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种负向显影光刻胶模型优化方法，包括以下步骤：获取初始负向显影光刻胶模型；基于初始负向显影光刻胶模型中的光场分布以及光刻胶中酸浓度，建立基于光场分布的光刻胶中酸浓度的分布函数S；基于光刻胶中酸浓度的分布的函数S建立显影溶液的浓度分布函数D；根据显影溶液的浓度分布函数D，构建显影溶液浓度扩散计算式R，用于计算不同浓度的显影溶液的扩散结果；用显影溶液浓度扩散计算式R来模拟显影过程，得到显影后的模拟负向显影光刻胶图形；将模拟负向显影光刻胶图形与预设图形中的相关数据进行对比，如果满足预设标准则以该模拟负向显影光刻胶图形作为正式负向显影光刻胶图形。
基本信息
专利标题 ：
一种负向显影光刻胶模型优化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114488705A
申请号 ：
CN202210040092.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高世嘉
申请人 ：
东方晶源微电子科技(北京)有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路156号院12号楼
代理机构 ：
深圳市智享知识产权代理有限公司
代理人 ：
王琴
优先权 ：
CN202210040092.0
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G03F7/30 G03F1/76
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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