一种提高光刻胶模型精度的方法
公开
摘要
本发明涉及建模领域，特别涉及一种提高光刻胶模型精度的方法。本发明的提高光刻胶模型精度的方法先提供一种卷积核，卷积核包括若干点，卷积核中的每一点均可变化且形成随机变量组；基于卷积核建立光刻胶模型；随机变量组每变化一次定义为一次优化，基于每次随机变量组变化得到所对应的模型的方均根，直到达到预设优化目标并记录该对应的随机变量组的数值。通过使用每一点均为变量的卷积核的设计，使得优化时可以在多个方向进行尝试，使得优化后的光刻胶模型更接近于实际模型，解决了现有技术光刻胶模型建模精度低下的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种提高光刻胶模型精度的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114330127A
申请号 ：
CN202111644843.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁洪齐
申请人 ：
深圳晶源信息技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区福保街道福保社区红棉道8号英达利科技数码园C栋401A
代理机构 ：
深圳市智享知识产权代理有限公司
代理人 ：
罗芬梅
优先权 ：
CN202111644843.1
主分类号 ：
G06F30/27
IPC分类号 ：
G06F30/27 G06N3/04 G06N3/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/27
使用机器学习，例如人工智能，神经网络，支持向量机或训练模型
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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